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從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)。

半導(dǎo)體行業(yè)中有“一代材料、一代技術(shù)、 一代產(chǎn)業(yè)”的說(shuō)法。

與一些人對(duì)“工業(yè)王冠上的鉆石”生產(chǎn)制造上的斷言相似，在芯片制造中，材料若缺席，技術(shù)充其量就是一紙PPT，無(wú)法落地為產(chǎn)品。

隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)的進(jìn)步，5G、毫米波通訊、新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵核心器件的性能將獲得質(zhì)的提升。

以氮化鎵材料切入電源管理應(yīng)用為標(biāo)志，第三代半導(dǎo)體的“超級(jí)風(fēng)口”已呼嘯而至。