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型號:DB004NG
N管
(資料圖片僅供參考)
電壓電流:20V90A
封裝:TO-252
應(yīng)用:太陽能燈、數(shù)碼產(chǎn)品鋰電池保護(hù)
Description:
This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications.
Features:
1) VDS=20V,ID=90A,RDS(ON)<3.5mΩ@VGS=4.5V
2) Low gate charge.
3) Green device available.
4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON).
5) Excellent package for good heat dissipation.
標(biāo)簽:
要聞
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